欢迎来到遥遥领先晶振平台

热门关键词 :

Product Center
微信会员
高品质 合作伙伴
当前位置首页 » 行业新闻 » KDS大真空DS2016KS表面贴装水晶振荡器

KDS大真空DS2016KS表面贴装水晶振荡器

返回列表 来源:*** 浏览:- 发布日期:2026-05-30 16:40:18【

KDS大真空DS2016KS表面贴装水晶振荡器

当下消费电子晶振,物联网与工业智能硬件产业正迎来全面的技术迭代,产品设计朝着极致微型化,超薄机身,超低静态功耗,高度集成化,高时序稳定性的方向全速升级.以智能穿戴设备,微型物联网传感终端,低功耗蓝牙模组,便携式检测仪器,微型工控模块为代表的新一代电子产品,对核心时钟器件的体积尺寸,待机功耗,时序精度,抗干扰能力,电路集成度,量产稳定性提出了前所未有的严苛标准.

传统硬件设计普遍采用分体式双晶振时钟方案,也就是搭配(32.768kHz无源时钟晶振+MHz高频工作晶振)组合使用,分别承担设备RTC实时计时与系统高频运行时序功能.但这套传统方案在现阶段微型化,低功耗高端产品设计中弊端尽显,不仅需要占用大量PCB核心布局空间,增加双重物料采购成本,还存在外围匹配电路繁琐,双重功耗叠加,时钟信号抖动大,高低温频偏明显,批量参数一致性差,SMT贴片工序复杂,量产不良率偏高等一系列棘手问题,完全无法适配当下高密度布线,极简电路设计,超长待机续航,高稳定运行的高端智能硬件研发与量产需求.

针对行业长期存在的时钟方案臃肿,功耗超标,空间受限,调试繁琐,可靠性不足的核心痛点,KDS日本大真空依托近百年石英晶体频控器件研发制造积淀,结合自研精密晶片加工工艺,低功耗ASIC驱动技术,微型气密封装技术,重磅推出行业创新型标杆产品——DS2016KS表面贴装型双频输出水晶振荡器.该器件打破传统晶振单一频率输出的技术局限,突破性实现单颗有源晶振集成32.768kHz低频RTC时钟与自定义MHz高频工作时钟双频同步输出,以一替二彻底替代传统双晶振分体方案.凭借超微型尺寸,纳安级极致低功耗,超低抖动高纯净时钟,超宽电压适配,零外围调试,高批量一致性等多重硬核优势,全方位解决微型智能硬件研发难,功耗高,空间紧,量产繁,稳定性弱的行业难题.遥遥领先平台技术有限公司为KDS日本大真空晶振品牌正规授权代理,全程供应100%日本原厂全新原装DS2016KS系列水晶振荡器,提供样品测试,参数适配,技术对接,电路调试,批量稳供一站式服务,咨询热线:13380314981.

一,微型智能硬件时钟方案行业痛点深度解析

时钟振荡器作为所有嵌入式智能硬件的"时序心脏",其性能优劣直接决定设备计时精准度,数据传输稳定性,整机功耗水平,长期运行可靠性与终端产品市场竞争力.在穿戴设备,微型物联网终端,超薄便携仪器,电池供电传感节点,无线智能模组等低功耗微型产品的研发量产过程中,传统双晶振时钟方案的短板被无限放大,成为制约产品品质升级与量产落地的核心瓶颈,具体痛点集中在五大维度:

1,双器件堆叠布局,空间占用量大,无法适配极致微型化,超薄化设计.传统时钟方案必须同时搭载一颗32.768KHz晶振低频无源晶振和一颗MHz高频有源晶振,两颗独立器件需要分别预留PCB焊盘,布线空间与避让区域,在小型化,超薄化产品中,主板空间寸土寸金,双器件堆叠布局会严重占用核心布局面积,导致主板无法精简瘦身,结构空间无法压缩,极大限制智能手环,智能眼镜,微型传感探头,超薄便携设备的外观轻薄化与结构集成化设计,很多高端微型产品因空间局限无法采用传统双晶振方案,产品迭代受阻.

KDS

2,双电路独立匹配,研发调试繁琐,试错成本高,周期长.分体式双晶振方案拥有两套独立振荡电路,需要硬件工程师分别针对低频RTC计时电路,高频主控电路进行负载电容匹配,阻抗调试,频偏校准,起振参数优化.两套电路参数相互独立,调试逻辑复杂,极易出现负载不匹配,低温不起振,高频频偏超标,信号杂波干扰,时序不同步等问题,需要反复改版调试,大幅增加研发试错成本,拉长项目研发周期,严重影响产品上市进度.

3,双器件功耗叠加,静态功耗超标,扼杀设备续航能力.电池供电类微型智能硬件的核心竞争力就是超长待机续航,而传统无源晶振需要搭配外围振荡电路工作,本身功耗偏高,加上高频晶振工作功耗,双器件同时待机运行会造成功耗叠加,直接导致设备休眠静态功耗,整机待机功耗超标,大幅缩短设备电池续航时间,无法满足物联网,穿戴设备,无线传感终端的超低功耗设计指标,成为低功耗产品设计的核心短板.

4,双重物料管控,供应链与量产管理繁琐,良品率难以保障.双晶振方案需要采购,入库,仓储,管控两款不同规格的时钟物料,增加企业BOM物料清单复杂度,供应链管理成本与库存压力;同时SMT贴片工序需要两次贴装,两次检测,生产流程更繁琐.且两颗晶振的批量参数偏差会相互叠加,导致整机3.3V时钟振荡器时序稳定性参差不齐,时钟信号抖动偏大,无线数据传输误码率升高,设备计时误差累积,直接拉低产品量产良品率,增加企业售后返修成本.

5,常规有源晶振功能单一,方案升级局限性大,性价比低.目前市面上普通贴片有源晶振仅支持单一频率输出,只能满足设备高频工作或低频计时单一需求,无法同时兼顾RTC实时计时与系统高速运行,依旧需要搭配低频无源晶振配套使用,无法从根源上精简物料,简化电路,降低功耗,方案升级空间有限,量产性价比极低.

KDS日本大真空DS2016KS双频输出水晶振荡器的问世,彻底颠覆沿用多年的传统分体式时钟设计逻辑,以单器件集成双频同步输出的创新架构,一站式攻克空间受限,功耗超标,电路复杂,调试繁琐,量产不稳,性价比低等全链条行业痛点,成为当下微型化,低功耗,高集成智能硬件的标准化优选时钟解决方案.

二,DS2016KS产品核心定位与详细参数解读

DS2016KS是日本KDS大真空针对微型低功耗智能硬件市场专项研发的超小型双频输出表面贴装有源水晶振荡器,专为设备超薄化设计,超低功耗待机,极简电路集成,高稳定时序控制场景量身打造.产品采用业界极致微型的2016贴片封装规格,整机尺寸仅为2016mm晶振,超薄超轻的微型化结构设计,能够完美适配高密度PCB多层板精简布局,是目前消费电子,微型工业设备时钟器件中体积最小,集成度最高的双频有源晶振之一.

该产品最核心的技术突破在于单器件独立双频同步输出,可同时稳定输出32.768kHz标准RTC低频时钟与自定义可编程MHz高频时钟,两路频率相互独立,互不干扰,同步工作,单颗晶振即可完整覆盖设备(实时时钟计时,休眠待机值守,定时唤醒触发,主控高速运行,无线通信传输,数据精准采样)的全维度时钟需求,完美替代传统"32.768kHz无源晶振+MHz高频有源晶振"的双物料,双电路冗余方案,实现一颗器件搞定整机时钟系统.

作为高度集成的一体化有源振荡器,DS2016KS内部集成KDS原厂高精度石英谐振晶片,自研低功耗ASIC智能振荡芯片,稳压驱动电路,温度补偿模块与滤波抗干扰结构,无需外接匹配电容,无需阻抗调试,无需外围辅助电路,上电即可精准,稳定起振,大幅简化硬件电路设计,缩短研发调试周期,降低量产技术门槛.产品拥有超宽电压适配能力,工作电压覆盖1.6V~3.6V全区间,全面兼容智能硬件主流的1.8V,2.8V,3.3V供电系统,通用性极强,可直接无缝替换各类传统时钟方案,无需改板,无需调整电路参数.

核心标杆参数全方位详解:

1,极致微型封装:2.0×1.6×0.7mm超薄贴片结构,厚度压缩至行业极致,适配所有微型化,超薄化硬件设计;

2,独创双频输出:32.768kHz低频持续常时发振,支持任意频段MHz高频同步输出,双频独立工作,无串扰,无频偏冲突;

3,纳安级超低功耗:仅32.768kHz计时模式下,典型工作电流低至0.8μA,休眠功耗极致可控,相比传统双晶振方案功耗降低60%以上;

4,超宽电压适配:1.6V~3.6V宽压工作,适配市面绝大多数MCU,SOC,蓝牙晶振,WiFi,物联网主控芯片供电体系;

5,高纯净时钟性能:采用低抖动,低相噪专属电路设计,时钟波形纯净,边沿规整,杂波干扰少,大幅降低数据传输误码率;

6,工业级宽温高稳:稳定工作温度区间-30℃~+85℃,可从容应对低温严寒,高温暴晒,设备发热,昼夜温差骤变等复杂工况;

7,原厂高一致性:全系日本原厂自动化无尘产线生产,经过多轮应力释放,老化筛选,参数校准,跨批次参数统一,长期运行无漂移,抗振抗干扰能力优异.

三,DS2016KS核心工作原理深度解析

KDSDS2016KS区别于传统单频晶振单一谐振的工作逻辑,依托KDS大真空独家双频谐振调控技术,复合晶片架构与一体化智能驱动电路,实现低频计时,高频工作双时钟独立稳定输出,工作机制科学,时序精准,抗干扰强,稳定性极高,完美适配智能硬件休眠,运行双工作模式.

首先,产品核心搭载定制化复合石英晶片结构,融合高精度音叉型低频晶片与高频泛音谐振晶片双重架构,经过日本原厂微米级精密切割,精准角度校准,多轮高低温应力释放与镜面抛光处理,从硬件底层同时适配32.768kHz低频谐振特性与各类MHz高频谐振需求.通过原厂专属频率隔离技术,彻底杜绝双频串扰,杂波叠加,频偏冲突,信号失真等问题,保障两路时钟信号独立输出,波形纯净,频率精准,互不干扰.

其次,器件内置自研低功耗智能ASIC振荡驱动电路与稳压滤波模块,摒弃传统晶振需要外围电路辅助起振的设计,零外围器件即可独立工作.设备上电后,芯片自动识别整机工作状态,智能切换双频工作模式:32.768kHz低频时钟全年365天不间断持续工作,全天候为设备提供RTC实时计时,休眠待机值守,定时任务唤醒,日志时间戳记录功能,保障设备待机状态下时序不中断,时间不跑偏;当设备启动工作,数据传输,模块唤醒时,MHz高频时钟同步稳定输出,为主控芯片,无线通信模块,数据采样系统,图像处理单元提供高速,精准的基准时序,完美匹配设备"低功耗休眠+高速运行"的双模工作逻辑.

最后,内置高精度动态温度补偿晶体振荡器电路与多级滤波抗干扰结构,可实时监测环境温度波动,工作电压浮动与外部电磁干扰,动态修正温度变化,电压不稳,环境干扰带来的频率偏移,有效抑制时钟信号抖动与相位噪声.无论设备处于低温,高温,温差骤变,轻微电磁干扰等复杂工况下,两路时钟频率均可保持超高稳定性,从根源杜绝计时不准,高速运行频偏,数据传输误码,系统时序错乱等故障,全方位提升设备运行可靠性.

四,DS2016KS系列核心产品硬核优势

1,单晶替双晶,极简电路架构,研发量产双向降本增效

DS2016KS最核心的创新优势就是单颗器件完整替代传统双晶振冗余方案,一颗晶振同时完成低频计时与高频工作双时序功能,直接省去一颗无源时钟晶振,配套负载电容与外围匹配电路.在研发端,大幅简化硬件电路设计逻辑,规避双电路调试误差,缩短项目研发与改版周期;在量产端,精简PCB布局空间,优化主板结构设计,减少BOM物料数量,降低采购仓储成本,简化SMT贴片工序与检测流程,实现研发效率提升,量产良率提升,综合成本下降的三重优化,是微型智能硬件极简设计的最优解决方案.

2,纳安级极致低功耗,重塑微型设备续航上限

针对电池供电类微型智能硬件的超低功耗核心需求,DS2016KS搭载KDS原厂新一代低功耗智能控制芯片,针对性优化休眠工作模式功耗.在仅开启32.768kHz计时待机模式下,器件典型工作电流低至0.8μA,达到行业顶尖的纳安级功耗水准.相较于传统双晶振组合方案,整机休眠静态功耗直接降低60%以上,最大程度减少设备待机电量损耗,有效延长智能穿戴,无线传感,便携监测设备的单次充电续航时长,完美满足各类超低功耗产品的严苛设计指标.

3,2016极致微型超薄封装,适配硬件极致小型化迭代

产品采用2.0×1.6×0.7mm超小超薄贴片封装,体积相较于常规3225贴片晶振,2520,1612晶振大幅缩减,厚度做到行业同级产品极致,专门适配智能硬件轻薄化,微型化,高密度集成的行业发展趋势.能够完美嵌入空间极度受限的智能手环,智能眼镜,微型传感探头,超薄便携检测仪,微型无线模组等设备,有效释放主板核心布局空间,为电池扩容,功能集成,结构精简提供充足空间,助力产品外观轻量化,精致化升级.

4,低抖动低相噪特性,时钟信号纯净,传输稳定性拉满

DS2016KS内置多级滤波电路,抗干扰谐振结构与波形整形单元,具备极低的时钟抖动与相位噪声特性,输出时钟信号边沿陡峭规整,波形纯净无杂波,频率稳定性极高.在无线蓝牙通信,WiFi数据传输,高频信号采样,高精度时序同步,图像数据处理等高频精密场景中,可有效抑制信号干扰,降低数据误码率,避免传输失真,保障多模块时序精准同步,大幅提升整机数据可靠性与运行稳定性,完美适配高精度时序控制类高端产品.

5,超宽压+宽温高稳,复杂工况适配能力极强

器件支持1.6V~3.6V超宽工作电压,全面兼容市面上所有主流MCU,SOC,蓝牙芯片,WiFi模组,工业控制芯片的供电标准,无需额外设计电压转换电路,适配范围极广,兼容性极强.同时具备优异的宽温稳定性能,在-30℃超低温严寒环境至+85℃高温工作环境区间内,频率温漂系数极小,参数偏移极低,可从容应对户外昼夜温差,设备长期发热,冬季低温启动,夏季高温暴晒等复杂工况,长期运行参数无漂移,性能无衰减,工作无中断,室内外,消费级,工业级场景均可稳定适配.

6,零调试免匹配,量产一致性高,适配大规模标准化生产

作为高度集成的一体化有源振荡器,DS2016KS无需工程师调试外部负载电容,无需匹配阻抗,无需优化外围电路,上电即可精准稳定起振,彻底规避人工调试误差与参数适配风险.全系产品均在日本KDS大真空自动化无尘产线生产制造,出厂前100%完成频率精度校准,功耗测试,高低温循环老化,机械振动冲击,电磁兼容,长期通电耐久等多重严苛可靠性筛选,单颗参数精准,跨批次性能高度统一,无参差偏差,大幅降低企业量产调试难度,生产不良率与售后故障率,完全适配大规模,标准化,高品质量产需求.

五,DS2016KS全场景主流应用领域

依托单颗双频集成,超小超薄体积,纳安级超低功耗,低抖动高稳时序,零调试易量产,超宽工况适配,高性价比的全方位核心优势,日产进口KDS晶振DS2016KS表面贴装水晶振荡器适配场景极为广泛,全面覆盖消费电子,物联网,智能家居,微型工业设备,便携智能终端,无线通信模组等多领域,是目前微型低功耗时钟方案中实用性,稳定性,性价比兼备的标杆器件.核心适配应用场景详细分类如下:

1,智能穿戴设备:智能手环,智能手表,智能眼镜,超薄穿戴监测设备,无线蓝牙耳机计时模组等超薄微型,长续航类产品;

2,低功耗物联网终端:BLE蓝牙低功耗模组,WiFi无线传感终端,户外物联网监测节点,电池供电采集模块,无线遥控终端;

3,微型工业与检测设备:便携式手持检测仪,微型工业控制模块,超低功耗环境监测设备,高精度数据采集终端;

4,智能家居终端:智能家居微型传感模块,人体感应终端,门窗监测模组,无线智能开关,电池供电小型智能设备;

5,嵌入式微型控制系统:各类需要同时实现RTC精准计时与高频主控运行的微型单片机,ARM,SOC嵌入式电路板,适配各类小型化,低功耗智能硬件时序系统升级改造.

六,遥遥领先平台技术|KDS大真空晶振正规代理专属保障

随着智能硬件行业竞争愈发激烈,产品的微型化程度,续航能力,运行稳定性,良品率成为核心竞争壁垒,而时钟器件作为时序核心,其方案优劣,品质真伪,供货稳定性直接决定产品研发进度与量产口碑.传统分体式时钟方案早已无法满足高端产品设计需求,KDS晶振DS2016KS一体化双频有源晶振凭借颠覆性创新设计,完美解决行业技术与量产痛点,成为中高端微型智能硬件的首选时钟解决方案.而选用日本原厂正品KDS晶振,是保障项目稳定研发,顺利量产,品质可控的核心前提.

KDS1

遥遥领先平台技术有限公司是KDS日本大真空晶振品牌正规授权代理,深耕进口精密频控器件供应链十余年,专注经营100%日本原厂全新原装KDS全系列有源,无源晶振产品,所有货源均为原厂直采,渠道正规,全程可溯源,品质经过层层严苛质检.针对客户项目研发送检,资质审核,客户验厂,批量量产的高标准需求,我司可完整提供原厂品牌授权证书,产品规格书,出厂质检报告,全维度可靠性测试报告,RoHS环保合规证书,批次溯源资料等全套标准化报审文件,完全满足各类电子产品研发验收,资质审核,量产准入的行业标准.

公司长期常备DS2016KS系列主流频点现货库存,货源储备充足,库存稳定,交期极速,彻底解决进口精密晶振普遍存在的交期漫长,缺货断货,供货不稳定的行业痛点,可全方位覆盖客户样品测试,研发验证,小批量试产,大规模量产,长期定点战略合作供货的全阶段需求,全程保障客户项目进度稳步推进,量产交付零延误,零断供风险.同时,我司配备资深专业的KDS晶振技术服务团队,深耕微型低功耗时钟方案优化,双频时钟电路适配,时序精度调试,量产故障整改领域多年,可为客户提供免费精准选型匹配,电路适配指导,低功耗方案优化,时序参数校准,项目报审支持,量产技术答疑,故障问题整改一站式专属技术服务,助力研发团队快速落地项目,缩短研发周期,规避量产风险,大幅提升终端产品品质与市场竞争力.

如需KDS日本大真空DS2016KS表面贴装型晶振的参数咨询,规格书领取,样品申请,批量报价与长期战略合作供货,欢迎致电咨询:13380314981,遥遥领先平台技术全程为广大客户提供原装正品,稳定交期,专业技术,靠谱售后四重核心保障!

KDS日本大真空DS2016KS表面贴装型水晶振荡器,是微型低功耗时钟领域的创新标杆级器件,凭借单器件双频同步输出的颠覆性技术,彻底打破传统双晶振分体式时钟方案的技术局限.以2.0×1.6×0.7mm极致微型超薄体积,0.8μA纳安级超低功耗,低抖动高纯净时钟,超宽压超宽温适配,零调试易量产,高批量一致性的多重硬核优势,完美解决传统时钟方案空间占用大,电路复杂,功耗偏高,调试繁琐,量产不良率高,稳定性不足等行业痛点.

该产品可全方位适配各类超薄智能穿戴设备,低功耗物联网终端,微型便携智能硬件,小型工业检测设备的精准RTC计时与高速时序控制需求,在实现硬件极致精简,续航大幅提升,时序稳定性升级的同时,有效降低企业研发与量产综合成本,是当下微型化,低功耗,高集成智能硬件时钟方案升级换代的最优选择.未来,遥遥领先平台技术有限公司将持续深耕KDS日本大真空原厂高端晶振资源,持续整合进口高端精密频控器件供应链,聚焦高精度,低功耗,高集成,高可靠的时钟晶体解决方案,持续为国内智能硬件,物联网,工业电子企业提供原装正品KDS晶振与全方位技术配套服务,助力国产微型智能电子产业实现高品质,高效率,规模化升级发展.
KDS大真空DS2016KS表面贴装水晶振荡器

KDS晶振

1TJH125DR1A0004

DST1610A

1610

32.768KHZ

KDS晶振

TJF080DP1AA003

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF080DP1AA003

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF0SPDJ1AI00S

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF080DP1AI00P

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF090DP1AI007

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF0SPDP1AI008

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF125DP1AI009

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF090DP1AA00L

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF080DP1AA00K

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF0SPDP1AA00G

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TJF0SPDN1A000B

DST310S

3215

32.768KHZ

KDS晶振

1TD125DGNS003

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD125DHNS036

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD125DHNS002

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD060DHNS014

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD125BHNS001

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD075BHNS001

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD125BFNS001

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD1001HNS001

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TD1250HNS005

DT-26

206

32.768KHZ

KDS晶振

1TC125DFNS030

DT-38

308

32.768KHZ

KDS晶振

1TC125NFNS002

DT-38

308

32.768KHZ

KDS晶振

1TC125AFSS003

DT-38

308

32.768KHZ

KDS晶振

1TC250E65

DT-38

308

32.768KHZ

KDS晶振

1C240000AB0G

DSX321G

3225

40.000MHZ

KDS晶振

1C241600CDAA

DSX321G

3225

41.6MHZ

KDS晶振

1AJ043324C

SMD-49

11*4.6

4.332MHZ

KDS晶振

1ZZNAE26000AB0J

DSX211SH

2016

26.000MHZ

KDS晶振

1AJ17408AAGA

SMD-49

11*4.6

17.408MHZ

KDS晶振

1AJ250004B

SMD-49

11*4.6

25.000MHZ

KDS晶振

1ZZCAA24000BE0B

DSX211G

2016

24.000MHZ

KDS晶振

1N227000BB0AK

DSX321G

3225

27.000MHZ

KDS晶振

1N230000AB0C

DSX321G

3225

30.000MHZ

KDS晶振

1N240000AB0J

DSX321G

3225

40.000MHZ

KDS晶振

1XSE098304AR2

DSO321SR

3225

98.304MHZ

KDS晶振

1AJ100005B

SMD-49

11*4.6

10.000MHZ

KDS晶振

1ZN326000AB0A

DSX221SH

2520

26.000MHZ

KDS晶振

1AJ240006AEA

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

KDS晶振

1AJ240006AK

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

KDS晶振

1AJ240006BB

SMD-49

11*4.6

24.000MHZ

KDS晶振

1AJ245765C

SMD-49

11*4.6

24.576MHZ

KDS晶振


DSO211AH

2016

25.000MHZ

KDS晶振

1AR270002GA

SMD-49

11*4.6

27.000MHZ

KDS晶振

1AR304002A

SMD-49

11*4.6

30.400MHZ

KDS晶振

1XXD16367MAA

DSB211SDN

2016

16.367MHZ

KDS晶振


DSA211SDN

2016

16.32MHZ

KDS晶振

1XXB16367MAA

DSB221SDN

2520

16.367MHZ

KDS晶振

1XXB16369JFA

DSB221SDN

2520

16.369MHZ

KDS晶振


DSA535SG

5032

18.432MHZ

KDS晶振


DSB211SDN

2016

16.320MHZ

KDS晶振

1ZNA32000BB0B

DSX221G

2520

32.000MHZ

KDS晶振


DSA321SDN

3225

23.04MHZ

KDS晶振


DSX221SH

2520

24.000MHZ

KDS晶振

1ZNA16000AB0P

DSX221G

2520

16.000MHZ

KDS晶振

X1H013000B81H

HSX531S

5032

13.000MHZ

KDS晶振

X4S013000DA1H-W

HSX421S

4025

13.000MHZ

KDS晶振

1XSE009600AV

DSO321SV

3225

9.6MHZ

KDS晶振

1XSE012000AR58

DSO321SR

3225

12.000MHZ

KDS晶振

1ZZNAE48000ZZ0R

DSX211SH

2016

48.000MHZ

日产进口晶振 :
KDS晶振
EPSON晶振
SEIKO晶振
MuRata晶振
CITIZEN晶振
Fujicom晶振
Naka晶振
NDK晶振
Kyocera晶振
River晶振
SMI晶振
KDK晶振
NKD晶振
ISO晶振
TOKYO晶振
MITA晶振
TamaDevice晶振
SQC晶振
台产晶振 :
TXC晶振
HOSONIC晶振
HELE晶振
TAITIEN晶振
SIWARD晶振
AKER晶振
PERICOM晶振
DIODES晶振
ITTI晶振
NKG晶振
MERCURY晶振
TST晶振
NSK晶振
欧美进口晶振 :
GEYER晶振
JAUCH晶振
Golledge晶振
Abracon晶振
ECS晶振
Renesas晶振
Skyworks晶振
Transko晶振
Suntsu晶振
MtronPTI晶振
QuartzCom晶振
QANTEK晶振
FOX晶振
RALTRON晶振
MicroCrystal晶振
SITIME晶振
Connor-Winfield晶振
Vectron晶振
Greenray晶振
IQD晶振
ILSI晶振
Crystek晶振
Quarztechnik晶振
Cardinal晶振
Frequency晶振
KVG晶振
Wi2Wi晶振
AEL晶振
MMD晶振
MTI-Milliren晶振
RUBYQUARTZ晶振
Oscilent晶振
IDT晶振
AXTAL晶振
Pletronics晶振
Statek晶振
Rakon晶振
Bliley晶振
Standard晶振
ecliptek晶振
SHINSUNG晶振
Microchip晶振
QVS晶振
Bomar晶振
General晶振
Q-Tech晶振
Anderson晶振
Wintron晶振
Fortiming晶振
Wenzel晶振
PETERMANN-TECHNIK晶振
FCD-Tech晶振
HEC晶振
Macrobizes晶振
Sunny晶振
Klove晶振
RAMI晶振
Dynamic迪拉尼
差分晶振 :
LVDS晶振
LVPECL晶振
HCSL晶振
CML晶振
PECL晶振
TCXO晶振
VCXO晶振
VCTCXO晶振
OCXO晶振
SPXO晶振
MEMS晶振
车规晶振 :
32.768K晶振 :
1x5晶振
1x4晶振
2x6晶振
3x8晶振
1210晶振
1610晶振
2012晶振
3215晶振
4115晶振
4819晶振
8038晶振
7015晶振